Ten przedmiot sprzedał się w dniu Śr, 17 kwi o 17:17.
Masz taki przedmiot na sprzedaż?

Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applic..

Stan:
Bardzo dobry
Ex-Library hardcover in very nice condition with the usual markings and attachments. Except for ... Zobacz więcejinformacji o stanie
Sprzedane za:
US $50,00
Około201,97 zł
Wysyłka:
US $5,99 (około 24,20 zł) Wysyłka ekonomiczna. Zobacz szczegółydla wysyłki
Znajduje się w: Spring Branch, Texas, Stany Zjednoczone
Dostawa:
Szacowana między Pn, 24 cze a Cz, 27 cze do 43230
Szacowane czasy dostaw - otwiera się w nowym oknie lub nowej karcie uwzględniają podany przez sprzedawcę czas na wysłanie przesyłki, kod pocztowy nadawcy, kod pocztowy odbiorcy i czas przyjęcia. Czasy te zależą od wybranego rodzaju usługi wysyłkowej oraz czasu rozliczenia płatnościrozliczona płatność - otwiera się w nowym oknie lub nowej karcie. Czasy dostawy mogą się różnić, szczególnie w okresach największego ruchu.
Zwroty:
Zwrot w ciągu 30 dni. Za wysyłkę zwrotną płaci kupujący. Zobacz szczegóły- aby uzyskać więcej informacji dotyczących zwrotów
Płatności:
     

Kupuj bez obaw

Gwarancja zwrotu pieniędzy eBay
Otrzymasz przedmiot, jaki zamawiasz, albo zwrot pieniędzy. 

Informacje o sprzedawcy

Zarejestrowany jako prywatny sprzedawca, więc prawa konsumenckie wynikające z przepisów UE o ochronie konsumentów nie obowiązują. W przypadku większości zakupów nadal obowiązuje Gwarancja zwrotu pieniędzy eBay.Dowiedz się więcejZarejestrowany jako prywatny sprzedawca
Sprzedawca ponosi pełną odpowiedzialność za wystawienie tej oferty sprzedaży.
Nr przedmiotu eBay: 256480983632
Ostatnia aktualizacja: 17-04-2024 17:02:48 CEST Wyświetl wszystkie poprawkiWyświetl wszystkie poprawki

Parametry przedmiotu

Stan
Bardzo dobry
Książka była czytana i nie wygląda jak nowa, ale jest nadal w doskonałym stanie. Okładka bez wyraźnych uszkodzeń. Jeśli jest to książka z twardą oprawą, posiada ona obwolutę (o ile taka była). Egzemplarz bez brakujących lub uszkodzonych stron, bez zagnieceń lub naderwań oraz bez podkreśleń/zaznaczeń tekstu lub notatek na marginesach. Na wewnętrznej stronie okładki możliwe wpisy lub oznaczenia właściciela. Minimalne ślady używania. Aby poznać więcej szczegółów i opis uszkodzeń lub wad, zobacz aukcję sprzedającego. Zobacz wszystkie definicje stanuotwiera się w nowym oknie lub nowej karcie
Uwagi sprzedawcy
“Ex-Library hardcover in very nice condition with the usual markings and attachments. Except for ...
ISBN
9789402408393
Book Title
Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories : Device Physics and Applications
Book Series
Topics in Applied Physics Ser.
Item Length
9.3 in
Publisher
Springer
Publication Year
2016
Format
Hardcover
Language
English
Illustrator
Yes
Author
Hiroshi Ishiwara
Genre
Technology & Engineering
Topic
Materials Science / Thin Films, Surfaces & Interfaces, Electronics / Circuits / General, Electrical, Electronics / General, Electronics / Transistors
Item Width
6.1 in
Item Weight
261.3 Oz
Number of Pages
Xviii, 347 Pages

O tym produkcie

Product Information

This book provides comprehensive coverage of the materials characteristics, process technologies, and device operations for memory field-effect transistors employing inorganic or organic ferroelectric thin films. This transistor-type ferroelectric memory has interesting fundamental device physics and potentially large industrial impact. Among the various applications of ferroelectric thin films, the development of nonvolatile ferroelectric random access memory (FeRAM) has progressed most actively since the late 1980s and has achieved modest mass production levels for specific applications since 1995. There are two types of memory cells in ferroelectric nonvolatile memories. One is the capacitor-type FeRAM and the other is the field-effect transistor (FET)-type FeRAM. Although the FET-type FeRAM claims ultimate scalability and nondestructive readout characteristics, the capacitor-type FeRAMs have been the main interest for the major semiconductor memory companies, because the ferroelectric FET has fatal handicaps of cross-talk for random accessibility and short retention time. This book aims to provide readers with the development history, technical issues, fabrication methodologies, and promising applications of FET-type ferroelectric memory devices, presenting a comprehensive review of past, present, and future technologies. The topics discussed will lead to further advances in large-area electronics implemented on glass or plastic substrates as well as in conventional Si electronics. The book is composed of chapters written by leading researchers in ferroelectric materials and related device technologies, including oxide and organic ferroelectric thin films.

Product Identifiers

Publisher
Springer
ISBN-10
9402408398
ISBN-13
9789402408393
eBay Product ID (ePID)
224563458

Product Key Features

Book Title
Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories : Device Physics and Applications
Author
Hiroshi Ishiwara
Format
Hardcover
Language
English
Topic
Materials Science / Thin Films, Surfaces & Interfaces, Electronics / Circuits / General, Electrical, Electronics / General, Electronics / Transistors
Publication Year
2016
Book Series
Topics in Applied Physics Ser.
Illustrator
Yes
Genre
Technology & Engineering
Number of Pages
Xviii, 347 Pages

Dimensions

Item Length
9.3 in
Item Width
6.1 in
Item Weight
261.3 Oz

Additional Product Features

Series Volume Number
131
Number of Volumes
1 Vol.
Lc Classification Number
Qc1-75
Table of Content
Preface I. Operation Principle of One-Transistor Type Ferroelectric-gate Field Effect Transistors II. Practical Characteristics of Inorganic Ferroelectric-gate FETs Si-Based Ferroelectric-gate Field Effect Transistors 1) Pt/SrBi2Ta2O9(SBT)/(Hf,SiO)2/Si gate structure Ferroelectric FETs 2) Pt/(SBT,BLT)/HfO2/Si gate structure Ferroelectric FETs Thin film-Based Ferroelectric-gate Field Effect Transistors 3) ITO/PZT/LaNiO3(LNO) gate structure Ferroelectric FETs 4) ZnO/Pb(Zr,Ti)O3 gate structure Ferroelectric FETs 5) Pt/PZT/ZnO gate structure Ferroelectric FETs III. Practical Characteristics of Organic Ferroelectric-gate FETs Si-Based Ferroelectric-gate Field Effect Transistors 1) Polyvinylidene fluoride (PVDF)/Si structure Ferroelectric-gate FETs 2) Poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) (P(VDF-TrFE))/Si structure Ferroelectric-gate FETs Thin film-Based Ferroelectric-gate Field Effect Transistors 3) P(VDF-TrFE)/Pentacene structure Ferroelectric-gate FETs 4) P(VDF-TrFE)/oxide thin film structure Ferroelectric-gate FETs Ferroelectric-gate Field Effect Transistors with flexible substrates 5) P(VDF-TrFE)-based Ferroelectric-gate FETs fabricated on plastic substrates 6) P(VDF-TrFE)-based Ferroelectric-gate FETs fabricated on paper substrates IV. Applications and Future Prospects 1) Novel Applications to NAND-type Memory Circuits 2) Novel Applications to Non-memory Devices 3) Features of One-Transistor Type Ferroelectric-gate Field Effect Transistors
Copyright Date
2016
Lccn
2016-944338
Dewey Decimal
621.3815284
Dewey Edition
23

Opis przedmiotu podany przez sprzedawcę

GuthrieBooks

GuthrieBooks

100% opinii pozytywnych
Sprzedane przedmioty: 3,7 tys.
Zwykle odpowiada w ciągu 24 godzin
Zarejestrowany jako prywatny sprzedawca
W związku z tym prawa konsumenckie wynikające z przepisów EU o ochronie konsumentów nie obowiązują. W przypadku większości zakupów nadal obowiązuje Ochrona kupujących eBay. Dowiedz się więcejDowiedz się więcej

Opinie sprzedawców (1 318)

s***s (470)- Opinie wystawione przez kupującego.
Ostatnie 6 miesięcy
Zakup potwierdzony
Book in like new condition.Super fast shipping great communication.Thank you.A+++ ebayer
Zobacz wszystkie opinie