|Wystawione w kategorii:
Masz taki przedmiot na sprzedaż?

Właściwości zaawansowanych materiałów półprzewodnikowych: Gan, Ain, Inn, Bn, Sic, Sige...

Tekst oryginalny
Properties of Advanced Semiconductor Materials : Gan, Ain, Inn, Bn, Sic, Sige...
Stan:
Jak nowa
Dostępne: 2
Cena:
US $148,66
Około582,52 zł
Wysyłka:
Bezpłatnie Economy Shipping. Zobacz szczegółydla wysyłki
Znajduje się w: Jessup, Maryland, Stany Zjednoczone
Dostawa:
Szacowana między Cz, 20 cze a Pn, 1 lip do 43230
Szacowane czasy dostaw - otwiera się w nowym oknie lub nowej karcie uwzględniają podany przez sprzedawcę czas na wysłanie przesyłki, kod pocztowy nadawcy, kod pocztowy odbiorcy i czas przyjęcia. Czasy te zależą od wybranego rodzaju usługi wysyłkowej oraz czasu rozliczenia płatnościrozliczona płatność - otwiera się w nowym oknie lub nowej karcie. Czasy dostawy mogą się różnić, szczególnie w okresach największego ruchu.
Zwroty:
Zwrot w ciągu 14 dni. Za wysyłkę zwrotną płaci kupujący. Zobacz szczegóły- aby uzyskać więcej informacji dotyczących zwrotów
Płatności:
     

Kupuj bez obaw

Gwarancja zwrotu pieniędzy eBay
Otrzymasz przedmiot, jaki zamawiasz, albo zwrot pieniędzy. 

Informacje o sprzedawcy

Zarejestrowany jako sprzedawca-firma
Sprzedawca ponosi pełną odpowiedzialność za wystawienie tej oferty sprzedaży.
Nr przedmiotu eBay: 355516044367
Ostatnia aktualizacja: 29-05-2024 12:57:42 CEST Wyświetl wszystkie poprawkiWyświetl wszystkie poprawki

Parametry przedmiotu

Stan
Jak nowa: Książka wygląda jak nowa choć była czytana. Egzemplarz bez brakujących lub uszkodzonych ...
Book Title
Properties of Advanced Semiconductor Materials : Gan, Ain, Inn, B
ISBN
9780471358275
Publication Year
2001
Type
Textbook
Format
Hardcover
Language
English
Publication Name
Properties of Advanced Semiconductor Materials : Gan, Ain, Inn, Bn, sic, Sige
Item Height
0.6in
Author
Sergey L. Rumyantsev
Item Length
9.5in
Publisher
Wiley & Sons, Incorporated, John
Item Width
6.4in
Item Weight
16 Oz
Number of Pages
216 Pages

O tym produkcie

Product Information

Containing the most reliable parameter values for each of these semiconductor materials, along with applicable references, these data are organized in a structured, logical way for each semiconductor material. * Reviews traditional semiconductor materials as well as new, advanced semiconductors. * Essential authoritative handbook on the properties of semiconductor materials.

Product Identifiers

Publisher
Wiley & Sons, Incorporated, John
ISBN-10
0471358274
ISBN-13
9780471358275
eBay Product ID (ePID)
1705594

Product Key Features

Author
Sergey L. Rumyantsev
Publication Name
Properties of Advanced Semiconductor Materials : Gan, Ain, Inn, Bn, sic, Sige
Format
Hardcover
Language
English
Publication Year
2001
Type
Textbook
Number of Pages
216 Pages

Dimensions

Item Length
9.5in
Item Height
0.6in
Item Width
6.4in
Item Weight
16 Oz

Additional Product Features

Lc Classification Number
Qc611.P78 2001
Reviews
"Six contributed chapters describe the key properties of emerging semiconductor materials systems with exciting potential..." (SciTech Book News, Vol. 25, No. 2 June 2001) "Anyone working with these materials will find the up-to-date information summarized in this handbook extremely useful and handy...this handbook has the potential to become on of the most cited reference books in upcoming years." (MRS Bulletin, September 2001), "Six contributed chapters describe the key properties of emerging semiconductor materials systems with exciting potential..." (SciTech Book News Vol. 25, No. 2 June 2001)
Table of Content
Contributors. Preface. Gallium Nitride (GaN) (V. Bougrov, et al.). Aluminum Nitride (AIN) (Y. Goldberg). Indium Nitride (InN) (A. Zubrilov). Boron Nitride (BN) (S. Rumyantsev, et al.). Silicon Carbide (SiC) (Y. Goldberg, et al.). Silicon-Germanium (Si_1-xGe_x) (F. Schäffler). Appendix 1: Basic Physical Constants. Appendix 2: Periodic Table of the Elements. Appendix 3: Rectangular Coordinates for Hexagonal Crystal. Appendix 4: The First Brillouin Zone for Wurtzite Crystal. Appendix 5: Zinc Blende Structure. Appendix 6: The First Brillouin Zone for Zinc Blende Crystal. Additional References.
Copyright Date
2001
Topic
Materials Science / General, Electronics / Semiconductors
Lccn
00-042262
Dewey Decimal
537.6/226
Intended Audience
Scholarly & Professional
Dewey Edition
21
Illustrated
Yes
Genre
Technology & Engineering

Opis przedmiotu podany przez sprzedawcę

Informacje o firmie

Expert Trading Limited
John Boyer
9220 Rumsey Rd
Ste 101
21045-1956 Columbia, MD
United States
Pokaż informacje kontaktowe
:liam-Emoc.secirpkoobtaerg@sredroyabe
Oświadczam, że wszystkie moje działania związane ze sprzedażą będą zgodne z wszystkimi przepisami i regulacjami UE.
Great Book Prices Store

Great Book Prices Store

96,8% opinii pozytywnych
Sprzedane przedmioty: 1,2 mln
Zwykle odpowiada w ciągu 24 godzin

Oceny szczegółowe

Średnia z ostatnich 12 miesięcy

Dokładność opisu
4.9
Przystępny koszt wysyłki
5.0
Szybkość wysyłki
4.9
Komunikacja
4.8
Zarejestrowany jako sprzedawca-firma

Opinie sprzedawców (342 872)

n***f (107)- Opinie wystawione przez kupującego.
Ostatni miesiąc
Zakup potwierdzony
Packaged with care and promptly shipped!
6***o (461)- Opinie wystawione przez kupującego.
Ostatni miesiąc
Zakup potwierdzony
Great, thanks
t***h (41)- Opinie wystawione przez kupującego.
Ostatni miesiąc
Zakup potwierdzony
My daughter couldn’t put it down.