Zdjęcie 1 z 1

Masz taki przedmiot na sprzedaż?

Sprzedaj sam

Interfejsy półprzewodnikowe w skali subnanometrowej: Proceedings of the NATO Adv–

Stan:

Nowy

Ilość:

Dostępne: 3

Cena:

US $240,08

Około971,29 zł

Wysyłka:

Bezpłatnie Economy Shipping. Zobacz szczegółydla wysyłki

Znajduje się w: Fairfield, Ohio, Stany Zjednoczone

Dostawa:

Szacowana między Śr, 10 lip a So, 20 lip do 43230

Zwroty:

Zwrot w ciągu 30 dni. Za wysyłkę zwrotną płaci kupujący. Zobacz szczegóły- aby uzyskać więcej informacji dotyczących zwrotów

Płatności:

Kupuj bez obaw

Najlepszy Sprzedawca

Zaufany sprzedawca, szybka wysyłka i łatwe zwroty.

Dowiedz się więcej- Top Rated Plus – otwiera się w nowym oknie lub nowej karcie

Gwarancja zwrotu pieniędzy eBay

Otrzymasz przedmiot, jaki zamawiasz, albo zwrot pieniędzy.

Dowiedz się więcejGwarancja zwrotu pieniędzy eBay – otwiera się w nowym oknie lub nowej karcie

Informacje o sprzedawcy

grandeagleretail (921737)
98,3% opinii pozytywnych

Zarejestrowany jako sprzedawca-firma

Zgłoś ten przedmiot - otwiera się w nowym oknie lub nowej karcie

Sprzedawca ponosi pełną odpowiedzialność za wystawienie tej oferty sprzedaży.

Nr przedmiotu eBay: 395159203650

Ostatnia aktualizacja: 19-05-2024 11:10:42 CEST Wyświetl wszystkie poprawkiWyświetl wszystkie poprawki

Parametry przedmiotu

Stan: Nowy: Nowa, nieczytana, nieużywana książka w idealnym stanie, wszystkie strony, bez uszkodzeń. Aby ...

ISBN-13: 9780792323976

Book Title: Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale

ISBN: 9780792323976

Subject Area: Technology & Engineering, Science

Publication Name: Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale : Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on the Physical Properties, Riva del Garda, Italy, 31 August-2 September 1992

Publisher: Springer Netherlands

Item Length: 9.3 in

Subject: Nanoscience, Materials Science / General, Electronics / Semiconductors, Physics / Crystallography, Materials Science / Thin Films, Surfaces & Interfaces, Materials Science / Electronic Materials

Publication Year: 1993

Series: NATO Science Series E: Ser.

Type: Textbook

Format: Hardcover

Language: English

Author: M. D. Pashley

Item Weight: 43.4 Oz

Item Width: 6.1 in

Number of Pages: Xi, 256 Pages

O tym produkcie

Product Information

The Advanced Research Workshop on the Physical Properties of Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale was held from 31 August to 2 September, 1992, in Riva del Garda. Italy. The aim of the workshop was to bring together experts in different aspects of the study of semiconductor interfaces and in small-scale devices where the interface properties can be very significant It was our aim that this would help focus research of the growth and characterization of semiconductor interfaces at the atomic scale on the issues that will have the greatest impact on devices of the future. Some 30 participants from industrial and academic research institutes and from 11 countries contributed to the workshop with papers on their recent wode. . 'There was ample time for discussion after each talk. as well as a summary discussion at the end of the meeting. The major themes of the meeting are described below. The meeting included several talks relating to the different growth techniques used in heteroepitaxial growth of semiconductors. Horikoshi discussed the atomistic processes involved in MBE, MEE and MOCVD, presenting results of experimental RHEED and photoluminescence measurements; Foxon compared the merits of MBE, MOCVD, and eBE growth; Molder described RHEED studies of Si/Ge growth by GSMBE, and Pashley discussed the role of surface reconstructions in MBE growth as seen from STM studies on GaAs. On the theoretical side, Vvedensky described several different methods to model growth: molecular dynamics, Monte Carlo techniques, and analytic modeling.

Product Identifiers

Publisher

Springer Netherlands

ISBN-10

0792323971

ISBN-13

9780792323976

eBay Product ID (ePID)

740545

Product Key Features

Number of Pages

Xi, 256 Pages

Language

English

Publication Name

Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale : Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on the Physical Properties, Riva del Garda, Italy, 31 August-2 September 1992

Publication Year

1993

Subject

Nanoscience, Materials Science / General, Electronics / Semiconductors, Physics / Crystallography, Materials Science / Thin Films, Surfaces & Interfaces, Materials Science / Electronic Materials

Type

Textbook

Subject Area

Technology & Engineering, Science

Author

M. D. Pashley

Series

NATO Science Series E: Ser.

Format

Hardcover

Dimensions

Item Weight

43.4 Oz

Item Length

9.3 in

Item Width

6.1 in

Additional Product Features

Intended Audience

Scholarly & Professional

LCCN

93-005134

Dewey Edition

Series Volume Number

243

Number of Volumes

1 Vol.

Illustrated

Yes

Dewey Decimal

537.622

Lc Classification Number

Ta418.7-418.76

Table of Content

I. Epitaxial Growth of Semiconductors.- "Surface Atomic Processes during Epitaxial Growth".- "Formation Mechanism of CuPt-Type Sublattice Ordering for III-III-V Type Compound Semiconductors".- "Surface Chemistry in the Si/Ge GSMBE System Studied Using RHEED".- "Diffusion of Si in ?-Doped GaAs Studied by Magneto Transport".- "Theory of Atomic-Scale Processes during Epitaxial Growth: Current Status".- "A Comparison of Growth by Molecular Beam Epitaxy, Metalorganic Chemical Vapour Deposition and Chemical Beam Epitaxy".- "The Role of Surface Reconstructions in MBE Growth of GaAs".- "A Lattice Gas Analysis of Binary Alloys on a Tetrahedral Lattice".- "Resonant Tunnelling via the Bound States of Shallow Donors".- II. Electronic Properties of Semiconductor Interfaces.- "Engineering of Semiconductor Heterostructures by Ultrathin Control Layers".- "Interface Chemical Structure, Band Offsets and Optical Properties of Various III-V Compounds Heterostructures".- "Dipole Layers at GaAs Heterojunctions and Their Investigation".- "Clustering and Correlations on GaAs-Metal Interface".- III. Atomic Scale Analysis of Semiconductor Interfaces.- "Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy of GaAs Doping Superlattices: Pinned vs. Unpinned Surfaces".- "Semiconductor Interfaces: Structure, Properties and Processing at the Atomic Level".- "Epitaxial Interfaces of III-V Heterostructures: Atomic Resolution, Composition Fluctuations and Doping".- IV. Group IV Materials.- "Group IV Strained Layer Systems".- "MISFIT Accommodation during Heteroepitaxial Growth".- "Smear-Out of the Ge/Si Interface in Gas Source MBE Monitored by RHEED".- "Optical Properties of Imperfect Si-Ge Heterostructures".- "Si1-x-yGexCy Growthand Properties of the Ternary System".- "Atomic-Scale View of Epitaxial Layers with Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy".- V. Nanometer Scale Devices.- "Atomic-Scale Understanding and Controllability of Heterointerfaces in Quantum Microstructures".- "Do Periodic Interface Corrugations Cause the Unusual Optical Properties of GaAs/AlAs Heterostructures Grown on Non-(100)-Oriented Substrates?".- "Strained Layer Quantum Well Semiconductor Lasers".- List of Participants.

1993

Opis przedmiotu podany przez sprzedawcę

Informacje o firmie

Premier Books LLC

David Taylor

26C Trolley Sq

19806-3356 Wilmington, DE

United States

Pokaż informacje kontaktowe

:liam-Emoc.liaterelgaednarg@yabe

Oświadczam, że wszystkie moje działania związane ze sprzedażą będą zgodne z wszystkimi przepisami i regulacjami UE.

Sprzedawca ponosi pełną odpowiedzialność za wystawienie tej oferty sprzedaży.

Nr przedmiotu eBay: 395159203650

Ostatnia aktualizacja: 19-05-2024 11:10:42 CEST Wyświetl wszystkie poprawkiWyświetl wszystkie poprawki

Wysyłka i obsługa

Lokalizacja przedmiotu:

Fairfield, Ohio, Stany Zjednoczone

Wysyłka do:

Afganistan, Albania, Algieria, Andora, Angola, Anguilla, Antigua i Barbuda, Antyle Holenderskie, Arabia Saudyjska, Argentyna, Armenia, Aruba, Australia, Austria, Azerbejdżan, Bahamy, Bahrajn, Bangladesz, Belgia, Belize, Benin, Bermudy, Bhutan, Boliwia, Botswana, Bośnia i Hercegowina, Brazylia, Brunei, Brytyjskie Wyspy Dziewicze, Burkina Faso, Burundi, Bułgaria, Cały świat, Chile, Chiny, Chorwacja, Cypr, Czad, Czarnogóra, Czechy, Dania, Demokratyczna Republika Konga, Dominika, Dominikana, Dżibuti, Egipt, Ekwador, Erytrea, Estonia, Eswatini, Etiopia, Falklandy (Malwiny), Fidżi, Filipiny, Finlandia, Francja, Gabon, Gambia, Ghana, Gibraltar, Grecja, Grenada, Grenlandia, Gruzja, Guernsey, Gujana, Gwatemala, Gwinea, Gwinea Bissau, Gwinea Równikowa, Haiti, Hiszpania, Holandia, Honduras, Hongkong, Indie, Indonezja, Irak, Irlandia, Islandia, Izrael, Jamajka, Japonia, Jemen, Jersey, Jordania, Kajmany, Kambodża, Kamerun, Kanada, Katar, Kazachstan, Kenia, Kirgistan, Kiribati, Kolumbia, Komory, Kongo, Korea Południowa, Kostaryka, Kuwejt, Laos, Lesotho, Liban, Liberia, Liechtenstein, Litwa, Luksemburg, Macedonia Północna, Madagaskar, Majotta, Makau, Malawi, Malediwy, Malezja, Mali, Malta, Maroko, Mauretania, Mauritius, Meksyk, Monako, Mongolia, Montserrat, Mozambik, Mołdawia, Namibia, Nauru, Nepal, Niemcy, Niger, Nigeria, Nikaragua, Niue, Norwegia, Nowa Zelandia, Oman, Pakistan, Paragwaj, Peru, Polska, Portugalia, Południowa Afryka, Republika Zielonego Przylądka, Republika Środkowoafrykańska, Rumunia, Rwanda, Sahara Zachodnia, Saint Kitts i Nevis, Saint Lucia, Saint Pierre i Miquelon, Saint Vincent i Grenadyny, Salwador, San Marino, Senegal, Serbia, Seszele, Sierra Leone, Singapur, Somalia, Sri Lanka, Surinam, Svalbard i Jan Mayen, Szwajcaria, Szwecja, Słowacja, Słowenia, Tadżykistan, Tajlandia, Tajwan, Tanzania, Togo, Tonga, Trynidad i Tobago, Tunezja, Turcja, Turkmenistan, Turks i Caicos, Tuvalu, Uganda, Urugwaj, Uzbekistan, Vanuatu, Wallis i Futuna, Watykan, Wielka Brytania, Wietnam, Wybrzeże Kości Słoniowej, Wyspy Cooka, Wyspy Salomona, Węgry, Włochy, Zambia, Zimbabwe, Zjednoczone Emiraty Arabskie, Łotwa, Święta Helena

Wykluczenia:

APO/FPO, Alaska/Hawaje, Barbados, Białoruś, Gujana Francuska, Gwadelupa, Libia, Martynika, Nowa Kaledonia, Panama, Papua-Nowa Gwinea, Polinezja Francuska, Protektoraty USA, Reunion, Rosja, Samoa Zachodnie, Ukraina, Wenezuela

Ilość:

Zmień kraj:

Kod pocztowy:

Wysyłka i obsługa	Każdy dodatkowy przedmiot	Do	Usługa	Dostawa*Zobacz uwagi o dostawie
Bezpłatna wysyłka	Bezpłatnie	Stany Zjednoczone	Economy Shipping	Szacowana między Śr, 10 lip a So, 20 lip do 43230

Uwagi – Dostawa *Szacowane czasy dostaw uwzględniają podany przez sprzedawcę czas na wysłanie przesyłki, kod pocztowy nadawcy, kod pocztowy odbiorcy i czas przyjęcia zamówienia. Czasy te zależą od wybranego rodzaju usługi wysyłkowej oraz czasu rozliczenia płatności. Czasy dostawy mogą się różnić, szczególnie w okresach największego ruchu.

Czas na wysłanie

Zwykle wysyłam przesyłkę w ciągu 10 dni roboczych po otrzymaniu rozliczonej płatności.

Podatki

Podczas realizacji transakcji mogą zostać naliczone podatki. Dowiedz się więcejDowiedz się więcej o płaceniu podatku za zakupy na eBay.